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 发表于 2016-3-21 11:10:40
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| DRAM 、NOR Flash 、NAND Flash ,包括3D NAND Flash 已经是比较成熟的技术,希望武汉新芯这一块尽快量产。
 
 与此同时,布局的工研院和华科等研究机构要着眼未来,考虑研究并开发
 1.相变存储器(PCM、PRAM、PCRAM)
 2.电阻式存储器(ReRAM、RRAM),又叫忆阻器(Memristor)
 3.磁性存储器(MRAM),其子类STT-RAM。
 4.铁电存储器(Ferroelectric RAM,缩写为FeRAM或FRAM)
 5.磁赛道存储器(magnetic race-track memory )
 
 这些技术了,这一块IBM 、HP、intel、东芝、镁光都已经研究多年了,希望不久的将来,我们至少和国外厂商能齐头并进……
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