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发表于 2020-6-17 10:58:52
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本帖最后由 prome 于 2020-6-17 11:00 编辑
进度问题
公司表示将在两年内完成一期项目建设并实现投产,四年内完成二期项目建设并实现投产,六年内实现达产。
公告显示,三安光电第三代半导体产业园项目用地面积约1000亩,将包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。三安光电表示,该项目有广阔的市场需求,现处于发展阶段,投资该项目有利于提升公司行业地位及核心竞争力。
长沙三安产业园一、二期位置示意图,可见一、二期总占地面积1200亩,可用面积939亩
目前一期目前已经征拆完毕
二期拆迁工作正在加紧推进,预计本月底将完成征拆工作,实现交地 |
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