|
发表于 2017-12-13 09:38:14
|
显示全部楼层
本帖最后由 jueqi1008 于 2017-12-13 09:45 编辑
正解!
32层3D NAND主要是技术打底的动作,大陆真正视为主流的是64层3D NAND技术,这也是目前三星、东芝、美光、SK海力士等NAND Flash大厂主流的技术。若大陆成功发展64层3D NAND技术,且全面大量投产,将有机会与三星、东芝、SK海力士等拉近差距,同时也标志者中国在NAND Flash芯片制造上能够达到国际水平。
中国发展半导体产业,除了加强3D NAND技术研发,对DRAM存储器也非常的感兴趣。就在上个月,兆易创新宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司签署了《关于存储器研发项目之合作协议》,将开展19nm制程工艺存储器 (含DRAM等)的研发项目,目标是在2018年12月31日前研发成功。合肥长鑫在2017年上半年称将投资72亿美元建12吋DRAM厂,这些项目都是着手DRAM研发或生产。
尽管目前三星、东芝、SK海力士都已进入64层和72层3D NAND技术,长江存储现在才成功研发32层技术,但大陆的投入力不可小觑,未来与国际大厂一较高下也不无可能。 |
|