2026年武汉产业经济城建新闻综合贴

zolor · 发表于 6 天前

有一说一，存储芯片这个一下爆出来的业绩真的很震撼，论坛就应该回到这个价值点

javascript0 · 发表于 6 天前

长江做内存怎样，总要买点技术吧

ddmao · 发表于 6 天前

不要瞎说行吧，长鑫卡在19纳米，良率也上不去。一级市场估值就比长存低。这些年总吹dram贬低闪存到底是什么意思？

RISTIANCO · 发表于 6 天前

路筱河潺潺发表于 2026-5-17 13:56
https://baijiahao.baidu.com/s?id=1865233633703724065&wfr=spider&for=pc
这篇也不错，看了才知道派 ...

这个表不准确，泥靴诞生在光谷

四轮车 · 发表于 6 天前

zolor 发表于 2026-5-17 22:09
我听他们安徽内部人士说，上海那个长鑫是封装hbm，不是制造工厂，而且产能是按照长鑫一期产能基数说的几 ...

别人怎么样我们不用管，我们需要警惕的是自己不要发生这种事，这种事很伤士气，你应该能理解，湖北这种亏，吃太多了！

ddmao · 发表于 6 天前

国内做dram最大的限制就在设备上，
国内DRAM最大障碍没有EUV ，设备/材料高度进口依赖，专利与良率壁垒；国产设备能做到19nm、勉强摸到17nm，但15nm以下（尤其是10nm级）没有EUV基本不可能稳定商用。

根据最新韩国海关数据揭露存储价格月度暴涨：SSD飙升63%、HBM涨19%
韩国最新海关进出口数据显示，DRAM与NAND闪存价格在单月内出现大幅跳涨，折射出全球存储市场在AI需求驱动下的结构性供需失衡。

其中，NAND闪存产品价格环比飙升63.1%，HBM内存价格环比上涨18.7%，裸DRAM芯片价格环比涨幅亦超过20%。上述数据覆盖2026年4月至5月10日区间，与去年同期相比，各主要品类涨幅普遍在165%至500%之间。

chenyunh · 发表于 6 天前

zolor 发表于 2026-5-17 22:23
据说ddr5的利润率跟hbm一样高，因为ddr5属于按下葫芦浮起瓢的那种，你要hbm，ddr5缺，你要ddr5， hbm缺，长 ...

又开始乱扯了，胡说八道。
内存这东西80-90年代日本就有八家内存制造商，当下台湾也有很多，只是长时间因为利润微薄，日本后来几乎全部退出了，韩国和台湾接手生产，但是几十年内也没有翻起什么水花，因为绝大部分时间利润低微。
当下利润暴涨，固然可喜可贺，但是这是顶型的突发事件导致产能错配，大概率一波流，因为产能的扩大对于长鑫而言意味着巨大的折旧，但长鑫技术水平又比较差，设备国产化也很低，良率也低，意味产能纠正后利润很低有着较高的风险，且产能越大风险越高。虽然前几天老美来了，但谁知道高科技领域是否也会握手言和？
当下的产能错配带来的高利润掩盖低技术水平与低良率带来的高成本，但不会永远都掩盖。
从长远来看，除非长鑫能突破，否则这就是一波流。
但就是一波流，也真香！

ddmao · 发表于 6 天前

正是因为dram需要更高端的设备，所以国产化设备产线进展远不如闪存。上升的空间存在很大不确定性。完全没有必要这山望着那山高，默默做就行。现在这个形式，国外设备也拿不到，专利又难得绕开。做自主的存算一体方向非常好。

ddmao · 发表于 6 天前

根据招股书，长鑫的收入结构
LPDDR（手机/平板等消费电子）：69.74%（绝对主力）
DDR（服务器/PC）：27.82%。
其他微乎其微。

这一波就是消费电子内存缺货，导致长鑫国产唯一替代赚了钱。

ddmao · 发表于 6 天前

本帖最后由 ddmao 于 2026-5-17 23:10 编辑

chenyunh 发表于 2026-5-17 22:49
又开始乱扯了，胡说八道。
内存这东西80-90年代日本就有八家内存制造商，当下台湾也有很多，只是长时间 ...

不见得会一波流。国外巨头产能都转Ai了，签的长协，那边利润高，几年内转不回来。消费电子，汽车等对内存的需求会较长时间得不到满足，可能长期缺货。

所以雷总，车厂等都在抱怨内存涨价。

楚狂 · 发表于 6 天前

zolor 发表于 2026-5-17 22:23
据说ddr5的利润率跟hbm一样高，因为ddr5属于按下葫芦浮起瓢的那种，你要hbm，ddr5缺，你要ddr5， hbm缺，长 ...

又是据说。。。你哪怕用ai查一下？1.技术专利。2.依赖国外设备。长鑫两座大山绕不开，局限性摆在这里。

ddmao · 发表于 6 天前

本帖最后由 ddmao 于 2026-5-17 23:25 编辑

闪迪市值1.5万亿人民币，长存其实技术和市场份额都已经不弱于闪迪，A股相对于美股市值哪怕打个折，万亿人民币也是有的。特别是三期投产后会远超闪迪。

hxxhxx · 发表于 6 天前

ddmao 发表于 2026-5-17 22:39
国内做dram最大的限制就在设备上，
国内DRAM最大障碍没有EUV ，设备/材料高度进口依赖，专利与良率壁垒 ...

有一说一，目前长鑫设备确实是个大问题，但是不论是海力士还是三星最大头的利润还是hbm，hbf有没有这么大的利润空间或者后面会不会超过hbm还是未知的。新芯最早的就是做dram的，肯定有技术积累，而且3ddram也是未来唯一突破现有设备制成限制的方向，目前长存有着相当深厚的布局，这种情况下尽快布局dram就是最佳选择，后续出成绩甚至在dram上复刻xtacking奇迹是大概率事件。没必要把资源都放在nand上。后面存算一体不管是rram、mram也需要更多的技术方向支持。所以dram对于长存不是选答题而是必答，不过也并不是难题。

ddmao · 发表于 6 天前

目前正在推进的光纤+硅光/空芯光纤+CPO 会大幅削弱 HBM 的必要性、重构 AI 内存架构；2028左右进入实质替代期，后面闪存的作用会越来越大。。

ddmao · 发表于 6 天前

黄仁勋前几天说这是国运级的押注，然后巨资砸向康宁。所以别只盯着dram和hbm。

[经济论道] 2026年武汉产业经济城建新闻综合贴