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韩媒the bell报道,三星时隔五年将再度大规模投资NAND闪存产能
三星电子有望时隔 5 年向 NAND 闪存新产能大幅度投资,计划在平泽 P5 晶圆厂中建设一条 NAND 生产线。
平泽 P5 是一座 3 层的大型晶圆厂,每层拥有 2 个洁净室,因此总共有 6 个阶段 (PH)。三星电子考虑将 P5 的一个 PH 用于 NAND 制造;P5 PH1 则将服务于 1c nm DRAM 工艺。报道提到,三星电子还有意在 P5 附近再建设一座相同结构的 6 阶段大型晶圆厂。
全球巨头都扩产了,长存速度真的要快,省市区要全力支持。 |
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