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本帖最后由 Scott.悦 于 2016-12-10 14:04 编辑
今天在市环保局网站上看到了国家存储器基地的环评批复公告，12月2号批的
论坛里似乎没人发过
环评文件中透露了一些项目信息
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0. 前言
0.1 项目由来
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长江存储科技有限责任公司于2016 年7 月成立于武汉东湖新技术开发区，主要从事12 寸40~50nm 集成电路晶圆片的代工生产，项目产品作为电脑、手机、摄像机等产品的存储芯片。为抓住市场机遇，公司决定投资5695000 万元人民币在武汉市东湖新技术开发区未来科技城建设国家存储器基地项目（一期）。整个国家存储器基地采取“统一规划，分期实施”的原则，分三期建设，总设计产能为360 万片/年（300K片/月）。其中本项目为一期工程，主要负责年产120 万片/年（100K 片/月）40~50nm12英寸存储器芯片（3D NAND）生产线的建设，同时负责整个生产基地建构筑物的土建工作。本次环评仅评价一期项目的生产线建设及整个基地的土建工程。
2.1.1 建设项目基本情况
项目名称：国家存储器基地项目（一期）
建设单位：长江存储科技有限责任公司
建设地点：武汉市东湖新技术开发区未来科技城
建设性质：新建
投资总额：项目总投资5695000 万元人民币
员工人数：劳动定员5000 人
工作制度：生产线工人实行四班三运转制，管理人员实行单班工作制，年工作365天
建设进度：本项目预计于2016 年12 月动工建设，预计于2018 年1 月建成投产。
2.1.2 产品方案及生产规模
（1）生产规模
本项目为新建12 英寸晶圆代工生产线，主要从事12 英寸存储器芯片整个生产基地设计产能为360 万片/年（300K 片/月）。项目分三期建设，其中项目一期产能为120 万片/年（100K 片/月），主要产品为3D NAND 存储器芯片。本次环评仅评价项目一期。
2.1.4.1 主要经济技术指标
本项目用地位于武汉东湖新技术开发区未来科技城，用地包括生产区和宿舍区，其中生产区位于三湖街以南、未来二路以东、未来三路以西、科技五路以北；宿舍区位于三湖街以南、未来三路以东、快岭西路以西、科技四路以北。生产区净用地面积968073.03 平方米（约1452 亩），生产区总建筑面积（一、二、三期合计）为1,503,931 平方米，宿舍区建筑面积261653 平方米。本项目生产区建筑面积为786,628 平方米。
2.2.2 主要生产设备和仪器
本项目12 英寸集成电路生产为当今国际领先的技术，主要设备都由国外进口，全厂生产设备共2730（台/套）。
2.2.3 主要原辅材料用量及能源消耗（略）
此部分涉及公司商业秘密，因此不予以公开。
2.2.3.1 主要原辅材料及用量
芯片前工序加工所用原辅材料主要包括硅芯片、工艺气体、化学试剂、大宗气体四大类，其质量要求很高，化学试剂及工艺气体的杂质含量要求达到ppb级。由于项目所需原辅材料要求较高，故绝大多数材料需进口，少部分材料直接由国内供货商提供。
本项目原材料绝大部分为进口原材料，原材料运输方式陆运、海运、空运均有，其中以陆运居多。
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这么一看，所需的原辅材料很多都是进口，换言之，本地的配套产业还有很大潜力可挖？
欢迎各位发表高见。
同日获批的还有天马微第6代LTPS AMOLED生产线项目（年产AMOLED面板36万张、模组5640万块，产值106亿元，利税12亿元）
更多信息详见原文件：
国家存储器项目：
http://221.232.152.210/PBBS/publicnoticeservlet?command=findInfoByUUID&public_type=3&attach_uuid=8aa007b55818aebe0158aeadb51d1392
天马微第6代LTPS AMOLED生产线：
http://221.232.152.210/PBBS/publ ... ebe015895101ea7102a
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发表于 2016-12-8 09:22:56
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