起航——奔跑吧！光谷七兄弟

whatmitt

ddmao 发表于 2026-8-25 08:50
华工和光迅都是体制限制了他们取得更大进步

华工和光迅国资背景 只能和华为之类的配套做国产替代。  新易盛 中际更被外资接受 深度绑定英伟达供应链 所以市值飙涨。除非华工和光迅在光模块创造非常大的技术代差  显然光模块行业门槛不算特别高 很难创造绝对护城河

chenyunh

武汉米兰 发表于 2026-9-19 15:02
【2026年QLC CSSD评测报告&技术分析:ROAD TO QLC(上)-哔哩哔哩】 https://b23.tv/BY9tpgu其实可以看看这个 ...

强呀，高端稳住到领先，妥妥的。

RISTIANCO

whatmitt 发表于 2026-9-19 16:45
华工和光迅国资背景 只能和华为之类的配套做国产替代。  新易盛 中际更被外资接受 深度绑定英伟达供应链  ...

其实国资背景出海难度高才是主因

chenyunh

宏碁：存储短缺部分缓解 2027年下半年PC价格或将反转

格隆汇9月20日｜宏碁董事长陈俊圣19日表示，目前存储及CPU除少数规格供货吃紧，其他规格缺料正在缓解，不过因零部件价格高位震荡，预估今年第四季度终端PC产品将持续涨价，平均幅度可能达5-20%，要到2027年下半年价格才有机会反转。

chenyunh

长存上市要加快，力争春节前上市，不然吃不上肉了。

RISTIANCO

chenyunh 发表于 2026-9-20 09:59
长存上市要加快，力争春节前上市，不然吃不上肉了。

春节前问题不大的吧

chenyunh

9月19日，据追风交易台消息，美银证券分析师Simon Woo发布最新内存行业研报，渠道调研证实2026年三季度DRAM均价环比涨20-30%、NAND涨超15%，且超大规模云厂商已提前签约锁定2027年一季度更高的DRAM价格。 基于内存供应持续短缺及OEM/科技公司抢筹加剧，美银将2027-2028年DRAM均价预期上调8-12%、NAND上调2-3%，但仍认为2028年价格会从2027年的高位回落约10%，属于“软着陆”。 在更长期维度上，美银将2030年全球内存TAM（市场规模）预测从1.8万亿美元上调至2.0万亿美元，并预测2027-2030年DRAM+NAND销售额年复合增速达21%。
三季度涨价超预期，云厂商提前锁定明年价格 渠道调研结果显示，三季度内存价格强劲。 美银报告指出：“对内存芯片制造商、现货市场分销商、OEM等的最新调研，证实三季度均价强劲：尽管长期协议占比上升，大多数DRAM产品三季度均价仍环比上涨20-30%，NAND涨幅超过15%。” 四季度同样不弱。分析师称，“四季度均价预计至少还有个位数增长”。 更值得关注的是一个新动向：分析师写道，“超大规模云厂商已签订新合同，同意在2027年一季度支付高于2026年四季度的DRAM价格。”这意味着买方已主动接受涨价，并将这一预期锁定进了合同。 上调2027-2028年价格预期，但2028年将迎软着陆 正是基于上述供需格局，美银对此前预测进行了修正。 分析师称：“鉴于持续的内存供应短缺，以及部分OEM和大型科技公司更积极的芯片采购行为，我们对2027年上半年的判断变得更加乐观。
” 具体数字： DRAM：2027-2028年均价假设上调8-12%；新预测中，2027年均价约为每8Gb当量17.1美元，2028年约16.2美元 NAND：2027-2028年均价假设上调2-3%；2027年约10.0美元/256Gb当量，2028年约8.7美元 与此同时，美银对2026年下半年的预测维持不变——“由于此前对下半年均价已持乐观态度，本次不作调整”。 但分析师同时指出，“预计2028年均价将（较2027年）下跌约10%（DRAM下跌5%，NAND下跌13%）”，并将此解读为“2029-2030年新一轮增长前的软着陆阶段，届时将由更先进的AI及采用高端内存的GPU/ASIC驱动”。 供应短缺是核心逻辑 为什么价格能持续上涨？供给侧的约束是关键。 数据显示，2026年DRAM供需充足率（supply-to-demand sufficiency）仅约79%，远低于100%的平衡线，直到2027年才逐步回升至接近均衡。NAND情况类似，2026年充足率约80%，2027年才恢复至102%左右。 PC和智能手机的减产也在情理之中。报告指出，尽管内存短缺，“PC和智能手机年初至今的减产幅度并不严重，出货量同比仅下降约10%”。这意味着终端需求尚未出现大幅崩塌，供需缺口主要源于AI服务器对内存的强劲拉动。 服务器端，尤其是AI服务器对HBM（高带宽内存）的需求，已占到DRAM总出货量的50%以上。分析师预计，2026年HBM市场规模达774亿美元，同比增长124%，2027年进一步扩张至1528亿美元。 2030年市场规模目标上调至2万亿美元，长期超级周期 美银将2030年全球内存市场（DRAM+NAND）总规模（TAM）预测从1.8万亿美元上调至2.0万亿美元。 分析师指出，全球DRAM+NAND销售额此前在2018年（云热潮）达到峰值0.17万亿美元，而2025年的回升仅产生0.21万亿美元（NAND下行）。因此，投资者可能会质疑2.0万亿美元的预测，因为相比2018/25年增长了10倍。 分析师给出五个理由支撑这一预测： （1）截至2026年三季度，年化运行率已超过1.0万亿美元（2,780亿美元；四季度等效：1.1万亿美元）； （2）2026年ASP或合约价同比上涨3-4倍，而销量增长20%以上； （3）创纪录的ASP可持续，由于全球供应紧张和强劲的AI芯片需求，到2030年降价有限； （4）2026-30年年度bit增长应保持在高两位数； （5）随着先进AI解决方案（HBM、SOCAMM、eSSD等）获得份额，结构应改善。 分析师还表示，不预期新GPU/ASIC出现“降规”或更低内存含量；相反，假设进一步增加，Rubin Ultra每颗达1,000GB，新Rubin为384GB，而当前为288GB。 分析师还预测，从2027年至2030年，DRAM+NAND合计销售额将以21%的年复合增速增长。 届时DRAM+NAND销售额达1.4万亿美元，而2026年为0.9万亿美元，至2030年——明确表明长期超级周期。这也意味着内存行业的合理市值为10万亿美元，基于13倍P/E、2.0万亿美元销售额下50%的OPM和25%的税率。 此外，美银自建的“内存景气指数”（BofA Memory Indicator）综合追踪均价、收入、现货价格及出口的同比增长动能。 分析师称，该指数“7月维持在创纪录的180，而周期中位水平为100，2017-18年的峰值仅为120”。
美银预计8月至9月的数据仍将保持强劲，韩国半导体出口及中国台湾南亚科技、群联电子的月度销售额同比增幅均超过100%。