投资3000亿！深圳龙岗平湖12英寸DRAM存储芯片厂厂房封顶设备搬入在即，配套深圳巨头！

luzmian

。。。敌方？

wspbs

Leitsing 发表于 2023-9-15 15:10
有啥不能说的，中芯国际呗，网上都有资料，两年前中心国际的7纳米就运用在矿机上了，只是不成熟，矿机对 ...

不是，有个图上面说的是松山湖完成的那就是华为自己生产的

摩天圳

有辐射的关键设备要动了，投产在即SK海力士很快就会感到压力了

摩天圳

龙华章阁厂区开始大批量招人

摩天圳

该项目是深圳市规模最大的

纯电子芯片类工业

废水处理综合水质净化工程

设计处理规模为45000立方米/天

将为打造“水清、岸绿、河畅、景美”

的美丽深圳贡献力量https://mp.weixin.qq.com/s/gm3gs39ge7cydLBEJFLTIw

摩天圳

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摩天圳

时间

szlinli

爱国者999 发表于 2022-6-18 17:49
深投控，投资项目，看项目，还是眼光毒辣的。

紫光集团、苏宁，都两个超级大坑，深投控，都完美规避， ...

三年前华为超聚变被河南国资几十亿买了，现在估值已经超过3000亿了，去年净利润40亿以上，如果上市，市值必超海光3500亿的市值。净利润高，增长快。

摩天圳

据《日经亚洲》7月15日援引知情人士消息，尽管存储芯片供应持续紧张，华为仍计划在2026年提高智能手机产量，并已向部分供应商告知最高约6000万部的生产计划，较2025年增长20%以上。
在存储和其他电子元件价格上涨的背景下，小米、OPPO和vivo等厂商已多次调整产量预期。《日经亚洲》称，华为由此成为目前唯一一家仍计划在2026年扩大手机产量的主要国内厂商。
据《日经亚洲》，一名外围芯片供应商高管表示，查看其对今年以来国内客户的月度出货量，华为是从迄今为至国内唯一一家没有削减订单预测、且订单量仍在增加的客户。

摩天圳

毫无疑问！深度绑定华子的深圳昇维旭、青岛芯恩、福建晋华虽然产能等从来没有公开透明，但是从华子的硬气出货看其产能大爆发了。

摩天圳

长鑫存储驱逐华为关联驻场工程师完整原因（路透社2026年7月权威行业消息，三方均未官方辟谣）
先厘清关键前提：被驱逐的不是华为直派员工，是华为深度绑定的设备商思尔芯（SiCarrier，即新凯来）驻场工程师，长期在长鑫核心无尘研发区调试刻蚀/光刻设备，接触长鑫DRAM核心工艺机密；双方现货采购业务仍正常开展，仅切断核心研发区驻场权限。

摩天圳

这次闹矛盾估计以后深圳新凯来不供应给长鑫尖端光刻机和刻蚀机等芯片制造设备了，没有深圳新凯来公司的尖端光刻机和刻蚀机等芯片制造设备以及高级技术人员调教设备长鑫扩产项目的良率产能如何提升？

Register

摩天圳 发表于 2026-7-25 22:59
这次闹矛盾估计以后深圳新凯来不供应给长鑫尖端光刻机和刻蚀机等芯片制造设备了，没有深圳新凯来公司的尖端 ...

猜测发生的可能性，我是猜测啊：关键点应该是“非独家”的业务关系，XKL除了给CX提供那些产品和服务，同时也给CX的竞争对手提供相同的产品和服务，CX认为它家的相关生产工艺是在国内处以领先水平，XKL驻厂工程师掌握的那些技术肯定会用于其他客户芯片厂的生产制造工艺和其他方面的提升。其实，这种情况是无法避免的，目前市场上哪怕是EUV光刻机的维保也是原厂派人提供服务，他们掌握了相关提升质量和效率的技术都会应用于他们其他产品或后续的研发。

摩天圳

Register 发表于 2026-7-26 08:39
猜测发生的可能性，我是猜测啊：关键点应该是“非独家”的业务关系，XKL除了给CX提供那些产品和服务，同 ...

就是这个逻辑，深圳新凯来从DUV光刻机再到高端光刻胶、刻蚀机等几十种芯片制造设备和材料还有启云方的EDA软件等广泛应用于我国的长鑫存储、长江存储、中芯国际、华虹、鹏芯微、鹏新旭、昇维旭、华润微电子、福建晋华等晶圆厂，没有新凯来的技术工程师驻场调试设备你没有办法自己提高良品率和提高产能。

摩天圳

（三）与华为深度合作落地现状
1. 需求侧锁定：华为签订5年长期包销协议，消化工厂40%以上产能，昇维旭按昇腾AI、手机、服务器定制化调整DRAM时序、功耗、带宽参数；
2. 技术协同：华为2012实验室、海思派驻内存控制器、系统架构工程师驻场，联合优化DRAM与昇腾AI芯片匹配度；
3. 封装协同：华为提供自研HiBL HBM堆叠封装技术方案，为昇维旭二期HBM产线做工艺预研；
4. 供应链协同：双方联合导入国产光刻胶、靶材、CMP耗材，同步降低存储材料对外依赖。
（四）产业链配套与专利进展
1. 专利：截至2026年7月累计公开/授权超200项发明专利，覆盖DRAM单元结构、薄膜沉积、刻蚀、良率修复、测试算法；
2. 设备国产化：沉积、刻蚀、离子注入80%国产设备导入，光刻完全采用纯国产28nm DUV光刻机；
3. 材料：联合深圳本地材料企业开发DRAM专用高纯靶材、湿化学品，逐步替代日韩进口耗材。
阶段1：短期成熟制程夯实产能（2026–2028，一期工厂主线）
1. 工艺目标
- 2026–2027：持续优化28nm DRAM良率，稳定满产14万片/月，良率提升至92%+；
- 2028：迭代改良型28nm+工艺，优化存储单元尺寸，同等晶圆容量提升20%，降低单位比特成本。
2. 产品迭代
1. 完善DDR5全系容量（16Gb/32Gb），支持5600MT/s高频服务器内存；
2. 量产LPDDR5X低功耗移动内存，匹配手机端端侧AI大模型低功耗需求；
3. 推出工业级宽温DDR5、车载AEC-Q100认证DRAM，打开汽车存储市场；
4. 完成HBM2E实验室样品流片验证，打通基础堆叠工艺。
3. 配套产线建设
- 同步建设晶圆测试、颗粒封装产线，实现晶圆→内存模组一体化交付；
- 搭建国产DRAM材料验证平台，实现85%存储材料本土化替代。
阶段2：中期先进制程+HBM高端存储突破（2029–2032，二期新建12英寸产线）
1. 先进制程迭代路线
- 2029启动二期12英寸工厂建设，规划月产能10万片；
- 工艺节点向下迭代至14nm DRAM，采用环绕栅极晶体管（GAA）存储单元，大幅提升单元密度、降低漏电；
- 技术路径：DUV多重图形化持续迭代，同步配合国内EUV研发进度，2032年后视国产EUV成熟度导入。
2. 核心战略目标：量产国产HBM高带宽内存（AI算力核心）
1. 2029年：建成HBM专用3D堆叠产线，实现HBM3、HBM3E小规模量产；
2. 2030–2032：迭代HBM4，支持12层堆叠、单颗36GB容量，带宽突破2TB/s，直接配套华为昇腾960/970系列AI大算力芯片；
3. 自研混合键合（Hybrid Bonding）超薄晶圆堆叠工艺，摆脱海外堆叠设备依赖。
3. 新型存储预研落地
推进IGZO无电容DRAM研发（长周期技术储备），解决传统6T DRAM电容漏电、尺寸瓶颈，2032年前完成工程样品验证。
4. 市场定位
- 成熟28nm产线：消费电子、工控、车载通用DRAM主力供给；
- 14nm二期产线：AI服务器HBM、高端数据中心DDR6、旗舰手机LPDDR6高端存储。
阶段3：长期前沿存储技术布局（2033年以后，远期规划）
1. 先进制程终极路线
跟进国产EUV光刻机产业化，导入7nm及以下DRAM先进制程，对标三星、SK海力士同期主流工艺；
2. 新一代存储产业化
若IGZO无电容DRAM工艺验证成熟，新建专属产线替代传统电容式DRAM，实现更低功耗、更高密度；
3. 全栈AI存储生态
开发CXL高速互联内存、近存计算存储（Processing-in-Memory），适配下一代超大规模AI集群；
4. 全球化供货
形成成熟28nm+先进14nm两条DRAM产能矩阵，国内双供给（昇维旭+长鑫），大幅降低海外三星、美光、海力士垄断依赖。
1. 双供应链互补长鑫存储
长鑫存储扎根合肥，主攻通用消费、服务器基础DRAM；昇维旭依托深圳电子、AI产业集群，定向配套华为AI算力与终端，形成南北双国产DRAM产能格局，分散单一厂商断供风险。
2. 先成熟、后先进，规避研发风险
不盲目追逐极先进制程，先依靠28nm成熟工艺快速量产盈利，以成熟产能营收反哺14nm、HBM、新型存储研发，现金流更稳健。
3. 深度绑定AI算力需求
路线全部围绕国内AI产业刚需设计，HBM、高频DDR、低功耗LPDDR全部优先适配昇腾算力芯片，区别于长鑫通用存储路线。
4. 全IDM自主可控闭环
同步布局材料、设备验证、制造、封装，打造完全自主的DRAM产业链，适配国内半导体安全战略。