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楼主: chenyunh

[经济论道] 起航——奔跑吧!光谷七兄弟

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发表于 2026-9-6 15:13:38 | 显示全部楼层
联发红墅009 发表于 2026-9-6 11:18
长存的市值有可能达到3万亿甚至5万亿,绝不可能只有5000亿。

肯定不止5000亿啊
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 楼主| 发表于 2026-9-6 21:13:03 | 显示全部楼层
联发红墅009 发表于 2026-9-6 11:18
长存的市值有可能达到3万亿甚至5万亿,绝不可能只有5000亿。

那个时间媒体报道是1600亿,看的是25年的数据。
现在不可同日而语。
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 楼主| 发表于 2026-9-6 22:47:47 | 显示全部楼层
快科技9月5日消息,国内半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文,宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破。该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺,有望帮助长鑫存储绕过EUV光刻机封锁,推进3D DRAM自主量产。

3D DRAM被视为DRAM技术演进的下一阶段。其核心理念是将晶体管从传统的二维平面微缩转向三维垂直堆叠,通过层层堆叠晶体管来提高存储单元密度。

在西方对华EUV光刻机出口管制持续收紧的背景下,这一技术路线为中国存储芯片产业开辟了一条避开光刻壁垒的新路径。

北方华创的方案针对硅与硅锗交替堆叠的64层3D DRAM结构。制造流程中需要将硅锗层精准刻蚀剥离,在留下的硅层空隙中构建字线、位线和栅极等微观结构。

然而高深宽比结构下的横向选择性刻蚀一直是行业难题,极易导致硅骨架受损或各层刻蚀不均匀。

北方华创设计的两步循环刻蚀技术将工艺切成“刻”与“清”两个阶段循环迭代。第一阶段利用无偏置的电中性氟自由基对硅锗层进行定点刻蚀,第二阶段再引入反应气体清理底部副产物沉积,确保刻蚀气体垂直纵深穿透。

据论文披露的数据,该工艺实现了超过500:1的硅锗与硅刻蚀选择比。在200纳米夹层结构中硅层单次损耗控制在10埃(1纳米)以内。更关键的是,在64对交替层堆叠结构中实现了超过95%的结构均匀度。

业界分析认为,长鑫存储若能整合北方华创的国产刻蚀设备与相关工艺,将大幅提升向3D DRAM自主量产演进的可行性。在无需依赖EUV光刻机的前提下,国产存储芯片厂商有望持续提升产品密度与性能。
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发表于 2026-9-6 23:24:31 来自手机 | 显示全部楼层
3D DRAM不是长存的强项吗?怎么变长鑫了
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发表于 2026-9-7 01:00:14 | 显示全部楼层
chenyunh 发表于 2026-9-6 22:47
快科技9月5日消息,国内半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文,宣布在3D DRAM制造工艺上取得 ...

https://www.mdpi.com/2079-4991/13/14/2127 论文地址在此,我读了下,其实就是2023年的一篇论文被一个关注半导体的撰稿人发现了,然后给出自己的结论,并不是现在才有的,这种刻蚀技术属于供应链技术,长存长鑫都可以用,可能作者就是看到长鑫的市场份额已经占到全球10%,并且内存是当下最炙手可热的存储产品,自然就联想到长鑫未来的3d dram,不要被一篇裹挟着个人观点的文章就蒙蔽了自己的判断,现在国内报道科技新闻总是喜欢从国外获取源,Wccftech类似于国内的IT之家,比较小众的科技信息网站

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发表于 2026-9-7 06:25:35 | 显示全部楼层
19881008 发表于 2026-9-6 23:24
3D DRAM不是长存的强项吗?怎么变长鑫了

长存是3D  NAND
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发表于 2026-9-7 11:53:56 | 显示全部楼层

3D技术都是长存的强项
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 楼主| 发表于 2026-9-7 12:23:09 | 显示全部楼层
本帖最后由 chenyunh 于 2026-9-7 12:28 编辑
sopor929 发表于 2026-9-7 01:00
https://www.mdpi.com/2079-4991/13/14/2127 论文地址在此,我读了下,其实就是2023年的一篇论文被一个关 ...


这个技术之前其实不成熟,长鑫一直没有突破光刻机的限制。
但最近又被拿出来了,可以关注
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 楼主| 发表于 6 天前 | 显示全部楼层
界面新闻

9月16日,据报道,三星电子计划将新增的传统内存模组产能全部交由封装测试(OSAT)合作伙伴扩充,重点生产用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR5内存模组及固态硬盘(SSD),自身产能则集中于高带宽内存(HBM)等高价值产品。
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 楼主| 发表于 5 天前 | 显示全部楼层
美国媒体报道,成立于中国的人工智能(AI)初创公司Manus拟开展被收购行动叫停后的首轮融资,公司估值将因此提高一倍至40亿美元(51亿新元)。

彭博社星期四(9月17日)引述知情人士称,上述计划中的5亿美元融资即将完成,将使这家先驱企业成为AI智能体领域最有价值的中国初创公司。谈判仍在进行之中,交易条款仍有可能发生变化。

新投资者的身份尚不清楚,但Manus的现有投资者包括腾讯控股、HSG和真格基金。Manus、腾讯、HSG和真格基金各自的代表均未回应寻求彭博社置评请求。

Manus是一家成立于中国、后迁至新加坡的AI企业,致力于开发能够自主完成任务、只需极少人工干预的人工智能代理。Meta去年12月宣布,拟以超过20亿美元的价格收购Manus。

彭博社6月报道称,自中国官方4月喊停这项交易后,Meta公司内部与Manus已进行运营分离,并停止两家公司的数据共享。

英国《金融时报》7月引述知情者称,腾讯将联合Manus的大部分现有投资者,包括真格基金和HSG(前身为红杉资本中国)等,计划以不低于20亿美元的价格,从Meta手中回购Manus。

Manus9月1日官宣恢复独立运营,肖弘、张涛和季逸超组成的原创始团队将继续**公司。
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发表于 4 天前 | 显示全部楼层
chenyunh 发表于 2026-9-17 19:36
美国媒体报道,成立于中国的人工智能(AI)初创公司Manus拟开展被收购行动叫停后的首轮融资,公司估值将因 ...

实话讲,经过这次收购叫停,耽误了不少时间,其实Manus已经有点落后了。
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 楼主| 发表于 4 天前 | 显示全部楼层
中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。

路透社星期五(9月18日)引述三名知情人士称,在全球供应短缺的背景下,长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场,以扩大其客户群体。

此举也将让专攻动态随机存取存储器(DRAM)的长鑫科技,在快速扩张的NAND闪存领域硬碰中国对手长江存储。


人工智能(AI)服务器的强劲需求,导致全球存储供应短缺,业内人士认为这一局面将至少持续到2027年。

SK海力士首席执行官郭鲁正曾在7月时说,从供应链角度来说,2027年将是业界最糟糕的一年。市场研究机构集邦咨询(TrendForce)则预计,NAND闪存的供应紧张情况将在明年下半年获得缓解。

集邦咨询指出,制造商大都把主要资金投放在制造DRAM和高带宽内存,限量增添NAND闪存产量,令这类供应短缺加剧。

DRAM是电子设备中最核心的短期记忆体,为处理器提供操作记忆。NAND闪存则广泛应用于手机、电脑和数据中心存储。

知情者称,长鑫科技计划在北京新厂设立NAND闪存研发生产线。公司也将在北京开设研究所,参与包括NAND闪存开发的项目。
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 楼主| 发表于 4 天前 | 显示全部楼层
看不见的手来摸了?
上市之后资金充沛,往上走遇到瓶颈,来长存碗里捞食来了。
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 楼主| 发表于 4 天前 | 显示全部楼层
国内的有点如果都做不出来,那就是科技含量太高,国外经过多少年的积累有产业培养等等等。。。
一旦有地方做出来了,那就冒出一堆做的出来的——其实我也可以做,立刻上马一大批。。。
这种不利于原研地方和企业的歪风邪气要制止。
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 楼主| 发表于 4 天前 | 显示全部楼层
建议省市区三级对这种要高度警觉,对人才,技术的流失要实时监测,重点管控,吃亏吃太多了。
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