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发表于 2026-1-27 21:57:18
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近日,研究机构桑迪亚国家实验室(Sandia National Laboratories)的一则报道引发了行业热议。
报道指出,该实验室与英特尔在内存技术领域取得了重大进展,其共同开展的“先进内存技术”(AMT)项目成功将DRAM相关研发成果转化为新型内存技术,旨在解决美国国家核安全管理局(NNSA)关键任务中的内存带宽与延迟难题。
Saimemory低功耗革命,重新杀回存储赛道
如果说与桑迪亚国家实验室的合作是前沿技术层面的铺垫,那么英特尔与软银集团的联手,则可以认为是其在DRAM赛道实质性推进的重要一步,展现出更清晰的商业化路径。
2024年末,英特尔与日本软银宣布成立合资公司Saimemory,携手东京大学、日本理研等机构,以“低功耗存储革命者”的姿态,瞄准AI时代的存储痛点,致力于开发替代HBM的堆叠式DRAM解决方案。
当前,AI处理器高度依赖HBM芯片,但HBM存在制程复杂、成本高昂、功耗大、易发热等固有缺陷,且市场被三星、SK海力士、美光三大厂商垄断,供应持续吃紧。
Saimemory的核心使命正是打破这一格局:通过垂直堆叠多颗DRAM芯片,结合英特尔的EMIB桥接技术优化互连方式,实现存储容量较现行先进存储器翻倍(目标单芯片512GB)、功耗降低40%-50%,量产成本仅为HBM的60%。这一路线避开了HBM依赖的硅通孔复杂工艺,更侧重架构优化与能效突破。
与三星、NEO Semiconductor等企业聚焦容量提升的3D堆叠DRAM技术不同,Saimemory直击AI数据中心电力成本高企的核心痛点,其技术路径兼容现有AI处理器接口,无需大规模硬件改造,显著降低了客户迁移成本。
当前,“英特尔是否会正式重返DRAM赛道”仍无定论,但可以肯定的是,在存储技术愈发成为AI时代核心竞争力的大背景下,英特尔应该不会全然放弃这一关键领域的布局。
未来数年,无论英特尔最终是否以传统形式“重返DRAM”,其在存储领域频繁落子已是不争的事实。这位曾经的存储王者或许不会直接与三星、SK海力士等巨头在技术路线、产能规模上正面对抗,但在AI驱动的异构计算时代,它完全可能凭借架构创新与系统整合能力,在存储领域重新定义自己的角色。
正如一位行业分析师所言:“未来的存储竞争不再是单一的制程竞赛,而是架构、功耗、生态乃至地缘策略的复合博弈。”在这样的全新的多维战场之上,英特尔在存储领域的故事,或许才刚刚翻开新的一页。 |
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