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“卡脖子”芯片赛道上，杀出个武汉
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打开手机和电脑，里面使用的芯片来自哪里，你注意过吗？
你可能回答：英特尔、苹果、AMD、高通、英伟达……这些鼎鼎有名的芯片厂商，是很多人购买电子产品时重点关注的指标，也是产品的核心卖点。
手机卡不卡、大型游戏能不能在电脑上运行，芯片好不好用，消费者的感受太直接了。
但还有一类芯片，你可能很少关注过，也很少听过——存储芯片。
每个人手上的电脑和手机，都必带存储芯片。如果把逻辑芯片比作“大脑”，执行运算、控制和决策，存储芯片就像一个“仓库”，负责数据的存储和记忆。
如果没有存储芯片这个数据“仓库”，CPU、GPU这些顶级工人就会“无事可做”。
和逻辑芯片一样，存储芯片从设计到制造，都长期被国外垄断，市场高度集中。
业内称之为存储芯片“三巨头”或“五巨头”，来自韩、日、美三个国家。
在这个普通人不太关注的存储芯片领域，实际上也正发生一场激烈的攻防战。
攻擂的一方来自中国：武汉的长江存储、合肥的长鑫存储。
他们作为国内仅有的存储芯片“双子星”，被寄予突破“卡脖子”技术的厚望，正在强势撼动原有格局。
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存储芯片虽然是不在聚光灯下的“幕后英雄”，其市场规模也不容小觑。
根据全球半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2025年全球存储芯片销售额预计达到1848.41亿美元，是个妥妥的万亿市场。
存储芯片是个强周期的行业，有涨有跌。我们目前迎来的，正是存储器的超级繁荣周期。
摩根士丹利预测，这个超级周期将持续数年，主要由AI驱动，预计2027年全球存储市场规模突破3000亿美元。
OPEN AI、谷歌这些AI巨头每天都在消耗巨量存储芯片。毕竟，大模型训练需要大量的数据。
存储芯片有两大主要类型：DRAM和NAND。要理解这两者的区别很简单，打个比方：DRAM是你手机里的运行内存，NAND则是手机里的存储空间。
比如，你手机的运行内存是8G，存储空间是256G。前者说的是DRAM，后者说的是NAND。
当你打开一个APP，软件的程序和数据从NAND（硬盘）被加载到DRAM中，供你编辑。DRAM像个“工作台”，NAND像个“仓库”。
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开源证券陈蓉芳指出，AI服务器对存储的需求呈指数级增长，单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍，NAND用量约为3倍，2025年AI对存储的需求占比达到40%，未来或将进一步提升。
存储芯片巨头之一SK海力士曾透露，OpenAI每月对DRAM晶圆的需求量将高达90万片。
作为人工智能的重要集成设施，存储芯片的价格也像坐上了火箭，一路高涨。
TrendForce集邦咨询数据显示，2025年第三季度，全球DRAM芯片价格同比暴涨171.8%，NAND Flash价格涨幅也达到98.5%，
“涨得比黄金还快。”存储芯片上下游公司的机器都开足了马力。
国内企业能从这轮超级繁荣中受益吗？
还真有。就是上述的长江存储和长鑫存储。
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长江存储主攻领域在NAND，长鑫存储主攻领域在DRAM。
这两家公司也是目前来说，唯一有希望在存储芯片领域能与国际巨头抗衡的中国企业。
用“唯一”这个词，并不夸张。
很多人可能问，既然存储芯片大短缺，为什么其他地区不去争分这块大蛋糕呢？
蛋糕大是大，却不是谁都有能力吃得下。
因为这是个典型的重资本、投入时间长的行业。
今年9月，长存三期成立，注册资本达到207亿元。建一座晶圆工厂，动辄就是百亿投资。
长鑫存储也不遑多让。
长鑫2019年投产的12寸存储晶圆制造基地项目，当时计划分三期建设三座12寸DRAM存储晶圆工厂，总投资不低于1500亿元，媒体报道为安徽省单体投资最大的工业项目。
2015年，发展存储器芯片被确定为国家战略。1380亿元国家集成电路产业投资基金和近1400亿元地方基金随后建立。
2016年，国家存储器基地落户武汉。
落户武汉的一个重要原因，是中西部地区中，武汉在集成电路领域相对起步早、有基础。
21世纪初，武汉就敏锐意识到，过去看“钢”，未来看“硅”。超高纯度的硅片，是芯片制造的基础材料。
2006年武汉新芯诞生。据长江日报报道，当时，武汉新芯一期省、市拿出了107亿元的投资，占当年省内国有经济投资总额的近十分之一。
《芯事——一本书读懂芯片产业》一书中曾提到，武汉新芯的早期发展颇为波折，先后遭遇了全球动态存储器市场的价格暴跌和主要客户的濒临破产。直到2012年，武汉新芯仍处于亏损状态。
2013年，时年54岁的原中芯国际首席运营官杨士宁博士接受武汉东湖开发区的邀请，加入武汉新芯任首席执行官。杨士宁有留美经历，任职于芯片巨头英特尔十多年，又在中芯国际主管技术。杨士宁掌舵后，武汉新芯三维闪存技术水平逐步靠近海力士、美光等国际巨头。
等到国家存储器基地落地，此时武汉新芯已经发展了十个年头。
那一年，在合肥，长鑫存储成立；在武汉，长江存储成立。
从股权结构看，长江存储一开始就肩负着国家的厚望。
长江存储一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司（“大基金”）、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北科投共同出资，湖北科投也是武汉新芯的股东。二期由紫光集团和“大基金”共同出资。
长江存储首任CEO正是杨士宁。杨士宁判断，NAND闪存储存的需求量将随着云端运算、智能终端机的发展而持续增长10倍。
根据长江存储的目标，长江存储将通过跳跃式的发展，在2019年实现与世界前端差半代技术，2020年与世界领先技术“并跑”。
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现实中长江存储的确实现了“跳跃式发展”——
2018年，长江存储32层3D NAND成功进入市场，实现国内3D NAND零的突破；
2019年，长江存储第二代64层3D NAND闪存实现量产；
2020年，长江存储跳过96层，直接128层3D NAND研发成功，达到全球闪存主流水平；次年，长江存储第三代TLC/QLC NAND量产;
2022年，长江存储第四代TLC 3D NAND研发成功；次年第四代TLC/QLC NAND量产。232层的堆叠层数和存储密度达到国际领先水平……
2024年，第五代TLC 3D NAND研发成功并量产。
看到这里，你可能有个疑问，为什么存储芯片要越叠越高？
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如果把存储芯片比喻成盖楼，最开始工程师们盖的是2D的楼，相当于只建一层楼，有很多小房间（cell），每个小房间里都能存储信息。
可是如果要建更多房间，地基也必须变大，意味着芯片就越做越大。
于是，工程师们想出了一个巧妙的办法，能不能垂直建？3D NAND诞生了，它可以比喻为一幢储存信息的摩天大楼。堆叠层数越高，存储密度也就越大。堆叠层数越高，对工艺的要求也就越高。
这种工艺要求精细到哪种地步呢？
请想象一个场景——
你正在长江边，拿出你1200万像素的手机，拍下了一张长江大桥与夕阳的绝美合照。
这张照片包含1200万个像素，以2.88亿个比特（bit）的形式存储起来。每个TLC存储单元能存储3bits信息，每个QLC存储单元能存储4 bits信息。
这也意味着，这一张简简单单的照片，如果不被手机压缩，理论上需要接近7200万~9600万个存储单位（cell）来存储。
一颗高端3D NAND存储芯片，其面积约指甲盖大小。在指甲盖大小内，制造厂商们垂直堆叠了超过200层的存储结构，并集成了数百亿个这样的存储单元。
这200多层的“摩天大楼”，高度可能仅为一根头发丝直径的几分之一到几十分之一，每一层都要求极度的平整和均匀。
而每个相邻“小房间”（存储单元）之间的间隔，只有20-40纳米，约为头发丝直径的1/2600。
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这种极致的工艺，也决定了存储芯片只能是少数参与者的竞争。
长存与长鑫，难以替代。
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十年磨一剑。距离长江存储和长鑫存储成立，也即将迎来十年之期。
他们在各自领域研发攻关，不仅获得了竞赛的入场券，更抢占了原本属于国际巨头的市场份额。
长期以来，全球NAND Flash市场由四大阵营主导：三星、SK海力士、铠侠/西部数据联盟以及美光。
其中，三星市场份额最高，约35%。四大阵营的市场份额总和约85%。
作为国内唯一3D Nand芯片厂商，长江存储在2021年首次进入全球排行榜，市场份额在2%左右。2022年被列入“实体清单”，市场份额的增长受阻。调整战略后，长江存储今年市场份额首次冲刺到9%，距离两位数仅一步之遥。
长存三期达产后，市场份额或继续上升至15%。
今年2月，韩国媒体ZDNet Korea报道称，三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。
三星作为存储芯片行业领头羊，从中国企业获得专利授权，被认为是一件罕见的事。
DRAM市场更为集中，由三星、SK海力士、美光三大巨头垄断超90%产能。今年第三季度，“三巨头”的市场份额同样约为90%。
▼2024年Q3至2025年Q3 DRAM市场份额分布。信源：Counterpoint Research Memory Tracker
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长鑫存储的份额在逐步上升。今年前三季度，长鑫存储的营收份额上升至5%。
市场分析机构Counterpoint今年6月预测，长鑫存储2025年DRAM出货量将同比增长50%，在整体DRAM市场的出货份额预计将从第一季度的6%增至第四季度的8%。
现在这两家公司的估值，都在千亿元级别。
目前，长鑫科技已完成上市辅导。此前2024年3月，公司以108亿元完成新一轮融资，投前估值超1400亿元。
长江存储则以1600亿元估值首次登上胡润《2025全球独角兽榜》。
长江存储和长鑫存储，让武汉与合肥在全国存储器格局中显得举足轻重。
他们堪比“双子星”，代表中国力量攀登科技与工业实力的高峰。
武汉提出打造“世界存储之都”，这正是底气所在。
九派新闻记者柴归
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