深圳的新春大礼包来了！XKL公司公布了EUV光刻机LPP光源技术设备系统专利！

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注意，2030年前EUV光刻机等所有生产制造7纳米以下芯片的设备都要实现全国产化

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家知识产权局信息显示，深圳市新凯来工业机器有限公司取得一项名为“组合分离台及组合分离设备”的专利，授权公告号CN223987357U，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本公开的实施例提供了一种组合分离台及组合分离设备，涉及半导体技术领域，用于提高掩膜板的镀层的厚度的均一性。该组合分离台包括固定板、多个第一支撑结构、多个第二支撑结构。第一支撑结构包括第一支撑件和第一调节件。多个第一支撑件配置为支撑托盘；第一调节件被配置为调节第一支撑件和固定板之间的夹角。第二支撑结构包括第二支撑件和第二调节件。多个第二支撑件配置为支撑掩膜板；掩膜板位于托盘远离固定板的一侧，且与托盘具有间隙；第二支撑件和第一支撑件间隔设置；第二调节件与固定板和/或第二支撑件连接；第二调节件被配置为调节第二支撑件和固定板之间的夹角。上述组合分离台用于支撑掩膜板。

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国家知识产权局信息显示，深圳市新凯来技术有限公司申请一项名为“分子泵及半导体设备”的专利，公开号CN121630768A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请涉及抽真空领域，公开了分子泵及半导体设备。分子泵包括外壳、电机和旋转体，电机包括电机壳体与转轴，旋转体包括安装于转轴的输出端并环绕电机壳体的基部，基部与电机壳体之间形成具敞口的套设间隙，电机壳体与基部中的至少一者朝向套设间隙的表面设有螺旋形延伸的一个或多个导气槽，电机壳体与基部中的至少一者朝向套设间隙的表面设有螺旋形延伸的一个或多个导气槽，每个导气槽包括沿延伸方向相对的起始端与终止端，起始端为导气槽靠近输出端的一端，终止端为远离输出端的一端，自起始端至终止端，导气槽同时沿第一方向与第二方向延伸。该分子泵可改善因引入保护气体可能导致的分子泵入口侧压力升高及真空度下降的问题。

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国家知识产权局信息显示，深圳市新凯来工业机器有限公司申请一项名为“一种信号处理电路、光学系统及半导体设备”的专利，公开号CN121619036A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种信号处理电路、光学系统及半导体设备，涉及电路领域，信号处理电路包括信号调制器、光电探测器、锁相放大器和低通滤波器，信号调制器对光信号进行调制，并通过光电探测器将其转换为电信号输出至锁相放大器的信号输入端；同时信号调制器输出参考信号至锁相放大器的参考输入端，帮助其实现电信号的信号提取；低通滤波器设置在信号调制器和锁相放大器的参考输入端之间，能够对参考信号进行滤波处理，滤波处理之后参考信号的频率与电信号进行傅里叶变换后得到的频率一致；以使得锁相放大器能够基于滤波后的参考信号消减电信号中由于调制产生的奇次谐波分量，从而提取出目标光强信号，并提高整个光学系统的信噪比。

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（恒运昌）成立12年来，逐步突破国外垄断，是半导体国产替代赛道的硬核企业，其等离子体射频电源系统在芯片制造中具有关键作用，已实现28纳米制程国产化，第三代产品Aspen系列可支撑7-14纳米先进制程，在国产厂商中市场份额第一，客户包括拓荆科技、中微公司等头部厂商。https://mp.weixin.qq.com/s/QOv5LYtln_1Bu9HGyJqDsg

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3月17日，深圳市重点产业研发计划“IC制造中浅沟槽隔离及光刻掩膜版稀土抛光液关键技术研发”项目启动会在深圳创新总部基地成功举行。中国稀土集团创新科技有限公司领导詹伟、梁浩、贾江涛，深圳市科技创新局成果转化处副处长杨婉璐出席会议；此外，会议还邀请了高校、科研院所、产业界及财务领域多位专家，以及项目承担单位、参与单位骨干成员共三十余人参会，共同见证项目正式启动。
詹伟对各单位、专家出席项目启动会表示热烈欢迎与诚挚谢意。他表示该项目是面向集成电路关键材料自主可控这一国家战略需求的主动作为，旨在打通从基础研究到产业应用的完整链条，实现高端稀土抛光液的国产替代。
此次启动会的成功召开，标志着中稀研究院在集成电路关键材料领域又迈出坚实一步，将为加快突破高端稀土抛光液技术壁垒、助力半导体产业链自主可控注入强劲动能。

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其中，CIM（计算机集成制造）是芯片晶圆厂的“工业大脑”，起到统筹数千台设备协同工作、决定良率生死线的作用。启云方研发的CIM整体解决方案，集成30多个子系统，可实现99.999%可用性，还引入“大数据+AI”为半导体智能制造提供决策引擎。目前已在10多条12英寸晶圆厂产线应用，其中7条产线达成Auto3，5条产线完整软件解决方案上线，4条已规模量产，并于2025年实现国内首个GigaFab（月产超过10万片的晶圆厂）成功交付。

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新凯来公司太牛逼啦！又一个领域实现自主可控遥遥领先！

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据介绍，启云方通过原理图与PCB设计软件的自主研发，实现了从底层硬件到业务模块的100%自主可控。目前，启云方电子工程EDA已累计服务2万余名工程师，企业实测产品上市周期缩短40%。
当前，在人工智能、通信、汽车电子等领域，集成电路设计正向“高速、高密、高复杂”场景持续迭代，急需稳定高效智能的电子EDA工具。启云方采用几何引擎、三角剖分几何算法、自适应渲染等技术，支持多人协同设计，其开发的AI智能辅助设计功能，减少设计阶段80%重复操作。

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本次亮相的110GHz频谱分析仪不仅是技术参数的跨越，更是对半导体与集成电路、网络与通信、空天技术等战略性新兴产业和未来产业关键环节的深度支撑。


在半导体底层研发领域，万里眼频谱分析仪通过110GHz同轴连续覆盖，有效克服了传统“主机+外部变频器”方案功率测不准、杂散测不全、性能测不快的难题，为新一代射频与数字芯片的设计验证与工艺迭代提供了从实验室到量产的关键保障。https://mp.weixin.qq.com/s/_OQIUPKshfRW7oT8gsXdlA

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深重投集团国家第三代半导体技术创新中心8英寸高性能碳化硅芯片成功入选“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”。

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深圳自由电子激光光束线镜箱设备自主研制取得关键进展
近日，由深圳先进光源研究院（以下简称“深光院”）自主研制的“纳米级高度误差偏转镜样机”成功通过出厂验收，标志着深光院在关键光学设备自主研制方面取得重要进展，为深圳自由电子激光装置建设奠定坚实基础。
偏转镜系统通常是自由电子激光光束线的“第一个镜箱”，负责精确引导和偏转X射线光束，对保障X射线波前高质量相干传输至关重要。
此次验收通过的纳米级高度误差偏转镜样机是深圳自由电子激光高重复频率关键技术研发项目之一，由深光院光束线技术中心完成设计，并委托中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司进行加工集成。项目研制初衷就是要建设一台适配超高真空环境，具备多通道电加热片面形补偿、实时面形检测及多自由度调节的样机，从而支撑深圳自由电子激光光束线系统建设。
3月20日，纳米级高度误差偏转镜样机出厂验收评审会通过线上线下的方式召开，评审组由深光院和中国科学院大连化学物理研究所共7位专家组成。专家组对样机真空系统多项指标进行了现场测试，分别听取了样机出厂验收报告和预研项目运动测试报告。综合测试结果显示，样机所有关键性能指标均优于任务指标。经讨论，专家组一致认为该样机满足项目合同要求，同意通过出厂验收。
该样机各项指标参数完全基于深圳自由电子激光装置的要求拟定，其中真空系统采用国际上最严苛的“particle free”标准（无颗粒）。这一标准的成功实现，不仅验证了深光院在高精度镜箱系统设计上已经完全满足深圳自由电子激光装置的技术要求，为后续光束线镜箱系统的设计与超高真空环境的获取积累了宝贵的技术数据和工程经验，也展现了深光院在关键科学仪器自主创新方面的技术实力。

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深圳又一个百亿级投资总额的重大科技攻关平台获得突破！

xdx2022

值得祝贺！

shilisansz

估计新凯来即将有新东东公开，今天下午收盘芯片上游上市公司估计集体异动