深圳官方发布！深圳启云方公司发布可设计7—3纳米芯片的两款EDA软件突破国外封锁

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当前，坪山区以中芯国际、鹏新旭等龙头企业为牵引，汇聚了富满微、安培龙等200家优质企业，芯片制造产值占全市60%以上，半导体与集成电路产业集群产值连续三年保持两位数增长。接下来，坪山将强化硅基制造、光载信息、集成电路扩展工艺三大支撑，全力构建年产能超500万片的“湾区芯城”，打造成为中国集成电路产业“第三极”的核心承载区。

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链群共生，催生百亿产业集群

　　一条产业链、两名链主企业，吸引众多企业纷至沓来，催生一个百亿级产业集群。

　　产业牵引成效显著，富满微“慕名而来”。通过芯片制造带动封装工厂建设，去年6月，富满微电子封装项目在坪山建成，年封装产能超8000kk，形成了晶圆制造+芯片封装的产业链配套。

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上个月，求境科技选择落户坪山，从事高精密过滤阀门的研发、生产，赋能集成电路产线良率提升，即将实现产品产业化。

　　“我们看中的是这里的集成电路全产业链生态。”求境科技总经理李森华数了数，“这里有中芯国际、鹏新旭等行业龙头企业，配备了中城产业园等优质产业空间，实现供需精准匹配。我们需要这片优质宽松的发展环境

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宁存政是白光激光发明人，在筹建清华大学国际纳米光电子学研究中心后，南下深圳，来到坪山，只为建设中国院校最好的微纳加工中心。历经4年，成功打造深圳技术大学半导体微纳加工平台，并将于今年投入使用，可为企业提供化合物光电芯片、硅基MEMS芯片领域流片服务，研发可做到8nm，小批量代工可实现0.35μm。

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集成电路增速：深圳集成电路产量同比增长19.8%，高于全国同期8.6%的增速（2025年前三季度全国数据），反映其在半导体领域的领先地位。

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近日，深圳平湖实验室第三代跃升课题组在碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术研发上取得重要进展，成功研发出的750V平面型SiC JFET器件，技术指标达到了国际先进水平。这一技术进展为我国在高端功率半导体领域的自主可控提供了有力支撑，未来将在新能源汽车、数据中心、智能电网等关键领域具有广阔应用前景。https://mp.weixin.qq.com/s/Quff4arg5TyWYYUBWzl8ug

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作为广东的制造业大区，深圳坪山规上工业总产值突破6000亿元。今年1—10月，坪山区规上工业增加值同比增长12.6%。
一直以来，坪山区坚持把发展经济的着力点放在实体经济上，一手抓新能源与智能网联汽车、生物医药、半导体与集成电路、人工智能“车药芯智”主导产业的巩固和优化，把制造业根基扎得更深更厚更实；一手抓新兴产业，加快人工智能赋能制造业，82家企业获评智能制造能力成熟度三级及以上等级认定，加速新型工业化。

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中芯、鹏新旭产能上来了，拉动坪山区工业经济两位数增长

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11月26日，记者走访明湖智谷发现，片区道路四通八达，建设现场热火朝天。项目一期约33万平方米厂房已竣工，正陆续开展交付工作；项目二期约20万平方米厂房已进入主体施工阶段，预计明年交付。光明区发展智能传感器产业有哪些优势？明湖智谷项目定位是什么？明湖智谷项目建设及运营有什么特色？明湖智谷项目建成后，能为光明区带来哪些积极影响？……记者深入一线，一探究竟。【光明加速打造大湾区首个智能传感专业园区  - 今日头条】
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深圳重大产业投资集团在光明区的晶圆厂，搞传感器芯片制造的，给某巨头代工传感器芯片

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重磅消息！深圳新凯来公司中标中科院尖端芯片研发设备！只要几千万一套打破美西方垄断卡脖子难题，

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北京理工大学深圳汽车研究院入选国家级首批产业知识产权运营中心认定名单，为深圳市唯一入选机构。2025年1-9月全区专利授权增量8750件，发明专利占比超1/5；PCT国际专利申请量超1100件，增速居全市第二。2025年1-10月坪山区知识产权服务业规上企业营收同比增长31%，增速全市第一。

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12月1日，由龙岗区城投集团投资建设的昇腾384超节点算力集群在深圳福田河套建成并正式投用，点亮了粤港澳大湾区国产算力“天花板”。该国产先进算力项目的落地商用标志着龙岗在打造全链条自主创新算力产业高地、服务国家人工智能战略上又迈出了关键一步，为大型算力基础设施的建设和可持续运营提供了可借鉴的“深圳样本”。

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全国高校区域技术转移转化中心（粤港澳大湾区）高端科学仪器深圳分中心揭牌
南方财经12月4日电，在上午举行的“光明科学城论坛·2025”开幕式上，全国高校区域技术转移转化中心（粤港澳大湾区）高端科学仪器深圳分中心揭牌。2025年4月，教育部批复同意全国高校区域技术转移转化中心（粤港澳大湾区）启动建设。其中，高端科学仪器深圳分中心依托深圳先进光源研究院挂牌组建，聚焦高性能及未来材料科学研究仪器、分子生物医学仪器、量子科技精密仪器设备、全谱系半导体与集成电路检测设备、高端及未来网络与通信仪器设备等五大产业方向。（21世纪经济报道）

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4.2 无EUV环境下的多重曝光（Multi-Patterning）技术鹏芯微在向14nm乃至7nm进军的过程中，面临的最大外部约束是无法获取EUV（极紫外）光刻机。这意味着必须使用波长为193nm的DUV光刻机来加工远小于其波长的特征尺寸（如7nm节点的金属间距约为36-40nm）。这必须依靠多重曝光技术，主要是SAQP（Self-Aligned Quadruple Patterning，自对准四重曝光）。4.2.1 SAQP工艺流程解析SAQP是一种“以空间换精度”的工程魔术。它不是直接“画”出线条，而是通过沉积和刻蚀“长”出线条。芯模（Mandrel）光刻：先通过光刻定义出较为稀疏的芯模图案。侧墙（Spacer）沉积与刻蚀：在芯模两侧沉积一层薄膜，然后刻蚀掉水平部分，只保留侧壁。芯模去除：刻蚀掉原本的芯模，留下的两个侧墙就形成了两倍密度的线条（SADP）。第二轮侧墙工艺：以第一轮的侧墙为芯模，重复上述过程，最终获得四倍密度的线条（SAQP）。4.2.2 SAQP带来的工程挑战工序激增：SAQP将原本的一道光刻工序变成了“光刻-沉积-刻蚀-沉积-刻蚀-清洗...”的复杂循环。这导致薄膜沉积和刻蚀的设备需求量暴增3-4倍。这也解释了为何鹏芯微在2024-2025年大规模采购刻蚀和薄膜设备 。CD（关键尺寸）均匀性控制：在SAQP中，线条的宽度不再单纯由光刻决定，而是由沉积膜层的厚度决定。ALD（原子层沉积）技术的精度必须控制在埃米（&#197;）级别。鹏芯微招聘的“薄膜研发工程师”必须精通ALD工艺，以保证全晶圆数万亿个晶体管的均一性。套刻精度（Overlay）：多重曝光要求各层之间的对准误差极小（<2nm）。这对光刻机的对准系统和量测设备提出了极限挑战。

8. 结论与展望：2026及其后的“深圳模式”

8.1 2025-2026年展望

良率爬坡战：随着先进制程产能的释放，2025年下半年至2026年，鹏芯微将面临严峻的良率爬坡挑战。在多重曝光工艺下，缺陷密度（Defect Density）的控制难度呈指数级上升。良率能否快速稳定在商业化基准线以上，将是检验其技术成色的试金石。

产能满载：受益于国内庞大的AI算力和新能源汽车需求，预计鹏芯微的产线将保持高稼动率（Utilization Rate）。这种“供不应求”的状态将为其提供稳定的现金流，反哺高昂的研发投入。

8.2 鹏芯微的产业启示

鹏芯微的崛起，代表了一种全新的“深圳模式”：即在**强力引导（深重投）、市场需求牵引（本地Fabless巨头）和技术自主创新（国产设备验证）三力合一的框架下，通过高强度的工程迭代，硬生生地在技术封锁的墙上凿开一个缺口。

它证明了，即使在缺乏最先进光刻机的极端环境下，通过系统级的工程优化、精细化的制程管理以及全产业链的协同，依然可以制造出满足大部分高端应用需求的芯片。对于中国半导体产业而言，鹏芯微不仅是一个工厂，更是一座灯塔，照亮了“后摩尔时代”技术突围的现实路径。

在未来的数年里，鹏芯微将继续作为深圳乃至大湾区硬核科技的底座，支撑起万亿级电子信息产业的转型升级。它的每一次技术节点的跨越，都将是区域产业竞争力的一次质的飞跃。